| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Холяво, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Сафронов, И. В. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-02-12T11:38:41Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-12T11:38:41Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Исследование теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур Si/Ge методом молекулярной динамики / А. Л. Хомец [и др.] // Радиотехника и электроника : материалы 54-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 23–27 апреля 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2018. – С. 178. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34439 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе сравнивалась фононная составляющая теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур на основе Si/Ge с различными ориентациями, различным количеством слоёв и различной
толщиной слоёв Si и Ge, представленных на рисунке 1 Расчет проводился с помощью метода равновесной
молекулярной динамики, реализованного в пакете LAMMPS. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | тонкоплёночные структуры | ru_RU |
| dc.subject | метод молекулярной динамики | ru_RU |
| dc.title | Исследование теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур Si/Ge методом молекулярной динамики | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 54-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2018)
|
