| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Палмера, Д. | - |
| dc.contributor.author | Мигель, А. | - |
| dc.contributor.author | Диас, Л. | - |
| dc.contributor.author | Роселина, А. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-02-13T11:50:01Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-13T11:50:01Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Торцевой холловский источник ионов для ассистировали осаждения / Д. Палмера [и др.] // Радиотехника и электроника : материалы 54-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 23–27 апреля 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2018. – С. 164. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34454 | - |
| dc.description.abstract | Актуальной задачей тонкопленочной технологии является формирование качественных функциональных покрытий
из диэлектрических и проводящих материалов для оптики и оптоэлектроники. На сегодняшний день представляются перспективными методы формирования пленок, основанные на ионной бомбардировке. Бомбардировка поверхности подложки
ионами в процессе роста пленок называется ионно-ассистированым осаждением (ion beam assisted deposition - IBAD), и позволяет в широких пределах управлять свойствами наносимых слоев независимой регулировкой потоков материала и энергетических частиц на подложку. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | торцевой холловский источник | ru_RU |
| dc.subject | ионно-ассистированое осаждение | ru_RU |
| dc.title | Торцевой холловский источник ионов для ассистирования осаждения | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 54-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2018)
|
