Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34554
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШлома, С. Л.-
dc.date.accessioned2019-02-28T07:48:47Z-
dc.date.available2019-02-28T07:48:47Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationШлома, С. Л. Восприимчивость полупроводниковых приборов и интегральных микросхем к воздействию ВЧ и СЧВ помех : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-39 80 02 / С. Л. Шлома ; науч. рук. Н. А. Титович. - Минск : БГУИР, 2019. - 8 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34554-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectполупроводниковые приборыru_RU
dc.subjectинтегральные микросхемыru_RU
dc.titleВосприимчивость полупроводниковых приборов и интегральных микросхем к воздействию ВЧ и СЧВ помехru_RU
dc.typeАвторефератru_RU
Appears in Collections:1-39 80 02 Радиотехника, в том числе системы и устройства радионавигации, радиолокации и телевидения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shloma_Vospriimchivost.pdf204.94 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.