| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Асташенков, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Петров, В. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-04-03T09:16:53Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-03T09:16:53Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Асташенков, А. С. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии = Properties of silicon doped with nickel impurity by diffusion method / А. С. Асташенков, Д. И. Бринкевич, В. В. Петров // Доклады БГУИР. – 2008. – № 8 (38). – С. 37–43. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34912 | - |
| dc.description.abstract | Поведение примеси никеля в монокристаллическом кремнии изучено методами измерения эффекта Холла, проводимости и времени жизни неравновесных носителей заряда. Определен оптимальный режим диффузии: нагрев длительностью 15–35 ч в диапазоне температур 925–960 С. Верхний температурный предел определяется эвтектическими превращениями в системе Si–Ni; нижний – распадом пересыщенного твердого раствора никеля в кремнии. Установлено, что взаимодействие примесей никеля и кислорода подавляет генерацию термодоноров, вводимых при 450 С, и не влияет на образование высокотемпературных термодоноров, образующихся при 650 С. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | диффузия никеля | ru_RU |
| dc.subject | удельное сопротивление | ru_RU |
| dc.subject | время жизни | ru_RU |
| dc.subject | термообработка | ru_RU |
| dc.title | Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии | ru_RU |
| dc.title.alternative | Properties of silicon doped with nickel impurity by diffusion method | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The nickel impurity behavior in monocrystal silicon is studied by the Hall Effect, conductivity and minority caries lifetime measurements methods. It was shown that Ni introduced by diffusion process in n-Si is compensated impurity. It was estimated the optimal diffusion regime: (15–35) hour heating at 925–960 C. The upper temperature limit is definited by the eutectic transformations in the Si-Ni system; the lower – by the disintegration of Ni solid saturated solution in silicon. It was shown that interaction between nickel and oxygen atoms suppresses the generation of thermodonors introduced at 450 C and does not influence on the formation of high temperature thermodonors introduced at 650 C. | - |
| Appears in Collections: | №8 (38)
|
