| Поле DC | Значение | Язык |
|---|
| dc.contributor.author | Полубок, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-04-03T11:56:08Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-03T11:56:08Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Полубок, В. А. Исследование температурных зависимостей ширины запрещенной зоны монокристаллов In2S3 двух структурных модификаций / В. А. Полубок // Доклады БГУИР. - 2008. - № 8 (38). - С. 58 - 63. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34928 | - |
| dc.description.abstract | Методом Бриджмена–Стокбаргера выращены монокристаллы двух структурных
модификаций соединения In2S3. Определен их состав, кристаллическая структура и
параметры элементарной ячейки. На полученных монокристаллах исследованы
спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале
температур 20–300 К. По зарегистрированным спектрам определена ширина
запрещенной зоны, построена ее температурная зависимость для кристаллов In2S3
обеих структурных модификаций. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | монокристалл | ru_RU |
| dc.subject | In2S3 | ru_RU |
| dc.subject | метод Бриджмена–Стокбаргера | ru_RU |
| dc.subject | спектры пропускания | ru_RU |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | ru_RU |
| dc.subject | температурная зависимость | ru_RU |
| dc.title | Исследование температурных зависимостей ширины запрещенной зоны монокристаллов In2S3 двух структурных модификаций | ru_RU |
| dc.title.alternative | Investigation of temperature dependencies of width of band gap of single crystals In2S3 of two structural modifications | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Using the method of Bridzhmen–Stokbarger the single crystals of two structural modifications
of compound of In2S3 are grown. Composition and crystalline structure, and the parameters of
elementary cell are determined. On the got single crystals the spectrums of transmission are investigate
in the area of edge of own absorption in the temperatures interval 20–300 K. Using a registered
spectrums band gap is determinate and temperature dependence is built for the crystals of In2S3 of both
structural modifications. | - |
| Располагается в коллекциях: | №8 (38)
|
