| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Титович, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Теслюк, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Тарасенко, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-05-23T12:29:01Z | - |
| dc.date.available | 2019-05-23T12:29:01Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Титович, Н. А. Моделирование воздействия радиопомех на полупроводниковые приборы и микросхемы / Н. А. Титович, В. Н. Теслюк, В. А. Тарасенко // сборник научных статей 8-й Международной научной конференции по военно-техническим проблемам, проблемам обороны и безопасности, использованию технологий двойного применения, Минск, 16–17 мая 2019 г. : в 5 ч. Ч. 4. / Государственный военно-промышленный комитет Республики Беларусь. – Минск : Лаборатория интеллекта, 2019. – С. 67-69. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35229 | - |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование воздействия высокочастотных помех на параметры цифровых микросхем. Использована модель с разбиением элементов микросхемы на составные части: ядро, корпус, сигнальные цепи и цепи питания. Результаты расчетов совпадают с данными экспериментов. Полученные результаты дают основание использовать модели данных элементов при оценке восприимчивости к воздействию радиопомех более сложных микросхем. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Лаборатория интеллекта | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | микросхемы | ru_RU |
| dc.subject | СВЧ помехи | ru_RU |
| dc.subject | моделирование воздействия | ru_RU |
| dc.title | Моделирование воздействия радиопомех на полупроводниковые приборы и микросхемы | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
