| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ле Динь Ви | - |
| dc.contributor.author | Дудич, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Рабатуев, Г. Г. | - |
| dc.contributor.author | Хиневич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Перко, С. Л. | - |
| dc.contributor.author | Фиалковский, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Григорук, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Казимиров, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Томашевич, Л. П. | - |
| dc.contributor.author | Макаров, Р. С. | - |
| dc.contributor.author | Лазарук, С. К. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-05T07:24:54Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-05T07:24:54Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Зарядовые свойства пленок анодных оксидов вентильных металлов, используемых в мемристорных устройствах / Ле Динь Ви [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 45. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35611 | - |
| dc.description.abstract | Для развития современной электроники необходима разработка новых технологий
и принципов формирования устройств обработки, хранения и защиты информации. В связи
с этим последние десять лет особое внимание уделяется использованию мемристорных
устройств (энергонезависимых ячеек памяти) для хранения информации. Мемристоры
демонстрируют эффект переключения сопротивления между высокоомным и низкоомным
состояниями под действием внешнего электрического поля. На эффект переключения влияют
зарядовые свойства используемых пленок. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | мемристорные устройства | ru_RU |
| dc.subject | энергонезависимые ячейки памяти | ru_RU |
| dc.title | Зарядовые свойства пленок анодных оксидов вентильных металлов, используемых в мемристорных устройствах | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2019
|
