Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36596
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБратченя, М. А.-
dc.date.accessioned2019-10-02T13:35:45Z-
dc.date.available2019-10-02T13:35:45Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationБратченя, М. А. Моделирование диодов Шоттки / Братченя М. А. // Электронные системы и технологии: 55-я юбилейная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г.: сборник тезисов докладов / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2019. – С. 61.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36596-
dc.description.abstractОбщая концепция технологии интегрированных в твёрдотельные структуры пленочных токопроводящих систем (ИПС) для интегральных микросхем и дискретных изделий полупроводниковой силовой электроники предполагает использование многослойных структур, в которых имеется контактные слои (КС), выполненные, например, из многокомпонентных материалов, барьерные слои (БС), токопроводящие слои (ТС) и др.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectдиоды Шотткиru_RU
dc.subjectпленочные токопроводящие системыru_RU
dc.titleМоделирование диодов Шотткиru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 55-й юбилейной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bratchenya_Modelirovaniye.pdf416.75 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.