Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГурбо, А. Д.-
dc.contributor.authorКлименко, А. В.-
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.-
dc.identifier.citationГурбо, А. Д. Формирование слоев пористого кремния на сильнолегированных монокристаллах кремния дырочного типа проводимости / Гурбо А. Д., Клименко А. В., Бондаренко В. П. // Доклады БГУИР. – 2019. – № 6 (124). – С. 31 – 37. – DOI:
dc.description.abstractМетодом электрохимического анодирования на кремниевых подложках дырочного типа проводимости получены слои пористого кремния. Изучены закономерности роста слоев и зависимость их пористости от длительности анодирования и плотности анодного тока. Получена математическая модель роста слоев пористого кремния.ru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectпористый кремнийru_RU
dc.subjectэлектрохимическое анодированиеru_RU
dc.subjectкремниевые структурыru_RU
dc.subjectporous siliconru_RU
dc.subjectelectrochemical anodisationru_RU
dc.subjectsilicon structuresru_RU
dc.titleФормирование слоев пористого кремния на сильнолегированных монокристаллах кремния дырочного типа проводимостиru_RU
dc.title.alternativeFormation of porous silicon on a highly doped p-type monocrystalline siliconru_RU
local.description.annotationPorous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation. Dependencies of thickness and porosity of porous silicon layers as well as effective valence of silicon dissolution versus anodizing time and current density were obtained and analysed. A mathematical model for growth of layers of porous silicon was developed.-
Appears in Collections:№6 (124)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Gurbo_Formirovaniye.pdf1.67 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.