| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Молахов, В. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-10-08T12:58:49Z | - |
| dc.date.available | 2019-10-08T12:58:49Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Молахов, В. С. Тонкопленочный полевой транзистор на основе InGaZnO – функциональный элемент оптоэлектроники : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1- 41 80 01 / В. С. Молахов; науч. рук. А. А. Степанов. - Минск : БГУИР, 2019. – 7 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36698 | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | тонкопленочные полевые транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | InGaZnO | ru_RU |
| dc.title | Тонкопленочный полевой транзистор на основе InGaZnO – функциональный элемент оптоэлектроники | ru_RU |
| dc.type | Автореферат | ru_RU |
| Appears in Collections: | 1-41 80 01 Микро- и наноэлектроника
|
