| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Горчанин, Д. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-10-10T09:08:29Z | - |
| dc.date.available | 2019-10-10T09:08:29Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Горчанин, Д. И. Методика исследования малых изменений структуры теплового сопротивления мощных ДМОП транзисторов / Горчанин Д. И. // Электронные системы и технологии : 55-я юбилейная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г. : сборник тезисов докладов / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск : БГУИР, 2019. – С. 93 – 94. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36729 | - |
| dc.description.abstract | Методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии (ТРДС), были исследованы профили растекания
теплового потока и структура внутреннего теплового сопротивления экспериментальных мощных ДМОП транзисторов
КП7209, КП723, изготовленных при различных температурных режимах и методах посадки кристалла. Для оценки
надежности транзисторов проводились испытания на длительное воздействие термоударом в интервале температур от –
196 до +200°С с контролем тепловых параметров через каждые 100 термоударов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | тепловая релаксационная дифференциальная спектрометрия | ru_RU |
| dc.subject | ДМОП транзисторы | ru_RU |
| dc.title | Методика исследования малых изменений структуры теплового сопротивления мощных ДМОП транзисторов | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 55-й юбилейной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019)
|
