Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36742
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШохонов, Д. А.-
dc.date.accessioned2019-10-10T14:05:58Z-
dc.date.available2019-10-10T14:05:58Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationШохонов, Д. А. Моделирование транспортных свойств полупроводникового дисилицида бария : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1- 41 80 03 / Д. А. Шохонов; науч. рук. Д. Б. Мигас. - Минск : БГУИР, 2019. – 8 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36742-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectполупроводниковый дисилицид бария BaSi2ru_RU
dc.subjectсолнечные элементыru_RU
dc.titleМоделирование транспортных свойств полупроводникового дисилицида барияru_RU
dc.typeАвторефератru_RU
Appears in Collections:1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shohonov_Modelirovanie.pdf271.02 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.