| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Маковская, Т. И. | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-11-27T12:32:30Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-27T12:32:30Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Зарядовые свойства транзисторной МОП-структуры с каналом из двумерного кристалла / Т. И. Маковская [и др.] // Изв. вузов. Электроника. – 2019. – Т. 24, № 2. – С. 137–150. – DOI : 10.24151/1561-5405-2019-24-2-137-150. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37556 | - |
| dc.description.abstract | Для дальнейшего увеличения эффективности и быстродействия полевых транзисторов возможно применение полупроводниковых двумерных кристаллов. Такие транзисторы лишены некоторых отрицательных эффектов, проявляющихся в традиционных МОП-транзисторах при уменьшении их размеров. В работе предложена модель и исследованы зарядовые свойства транзисторной МОП-структуры с каналом из двумерного кристалла. Численное моделирование таких характеристик выполнено в диапазоне варьирования электрофизических свойств 2D-кристаллов, типичных для MoSe2, WS2, WSe2, ZrSe2, HfSe2, PtTe2. Установлена самосогласованная взаимосвязь между электрофизическими параметрами структуры через химический потенциал, а также показано влияние на них потенциала полевого электрода и емкости подзатворного диэлектрика. Выполненные расчеты крутизны передаточной характеристики и коэффициента усиления такой транзисторной структуры показали, что для канала из дихалькогенидов тугоплавких металлов с шириной запрещенной зоны в диапазоне 0,25–2,1 эВ значения данных параметров могут достигать 0,1 мА/В и 1000 соответственно. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Национальный исследовательский университет «МИЭТ» | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | двумерный кристалл | ru_RU |
| dc.subject | транзисторная структура | ru_RU |
| dc.subject | квантовая емкость, переходная характеристика, крутизна, коэффициент усиления | ru_RU |
| dc.title | Зарядовые свойства транзисторной МОП-структуры с каналом из двумерного кристалла | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
