| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мишуто, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-11-29T12:16:43Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-29T12:16:43Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | Мишуто, В. А. Изготовление Cu2ZnSnS4 слоев для солнечных элементов методом трафаретной печати / В. А. Мишуто // Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных средств : материалы 48–ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 7 – 11 мая 2012 г. / редкол.: М. П. Батура [и др.]. – Минск : БГУИР, 2012. – С. 40. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37597 | - |
| dc.description.abstract | Cu2ZnSnS4 слои были успешно изготовлены на гибкой полиимид подложке методом трафаретной печати. . Ширина запрещенной зоны, сопротивление слоя, концентрации носителей, и холавская подвижность слоев Cu2ZnSnS4, полученных методом трафаретной печати, были 1.49 эВ, 2.42*103 Ом, 3.81*1018 см-3, и 12.61 см2 V-1 s-s при 25◦С, соответственно. Плотность тока короткого замыкания, напряжение холостого хода, коэффициент заполнения, и эффективность обыкновенной фотогальванической ячейки с активной площадью 0.15 см2 были 4.76 мА/см2, 386 мВ,0.27, и 0,49%, соответственно. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | CZTS | ru_RU |
| dc.subject | трафаретная печать | ru_RU |
| dc.title | Изготовление Cu2ZnSnS4 слоев для солнечных элементов методом трафаретной печати | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 48-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2012)
|
