| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Казаркин, Б. А. | - |
| dc.contributor.author | Степанов, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Муха, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Захарченя, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Хохлов, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Смирнов, А. Г. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-12-11T12:08:41Z | - |
| dc.date.available | 2019-12-11T12:08:41Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Тонкопленочные транзисторы с InGaZnO-полупроводниковым слоем для активно-матричной адресации / Б. А. Казаркин [и др.] // Доклады БГУИР. – 2019. – № 7 (125). – С. 101–106. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37809 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлены результаты исследования тонкопленочных транзисторов на основе
полупроводникового соединения InGaZnO (IGZO) для активно-матричной адресации дисплеев,
формируемого методом магнетронного плазмохимического осаждения. Исследованы их структурно-
морфологические и электрофизические свойства. Проведен анализ подвижности носителей заряда
методом Холла. Изучено влияние отжига в вакууме, атмосфере кислорода и атмосфере азота на размер
зерен пленки IGZO. Полученные слои характеризуются высокой подвижностью носителей заряда,
что позволяет их использовать при изготовлении ЖК- и OLED-дисплеев нового поколения. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | оксид индия-галлия-цинка | ru_RU |
| dc.subject | прозрачные проводящие слои | ru_RU |
| dc.subject | дисплейная техника | ru_RU |
| dc.title | Тонкопленочные транзисторы с InGaZnO-полупроводниковым слоем для активно-матричной адресации | ru_RU |
| dc.title.alternative | Thin film transistors with InGaZnO-semiconductor layer for active matrix addressing | - |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106 | - |
| local.description.annotation | The paper presents the results of a study of thin-film transistors based on the InGaZnO semiconductor compound (IGZO) for active-matrix displays addressing formed by magnetron plasma-chemical deposition.
Their structural-morphological and electrophysical properties are investigated. Carrier mobility is analyzed
using the Hall method. The effect of annealing in vacuum, an oxygen atmosphere, and a nitrogen atmosphere
on the grain size of an IGZO film was investigated. The resulting layers are characterized by high mobility
of charge carriers, which allows their use in the manufacture of new-generation LCD and OLED displays. | - |
| Appears in Collections: | №7 Спецвыпуск (125)
|
