Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37823
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКурапцова, А. А.-
dc.contributor.authorДанилюк, А. Л.-
dc.contributor.authorЛешок, А. А.-
dc.contributor.authorБорисенко, В. Е.-
dc.date.accessioned2019-12-12T12:17:47Z-
dc.date.available2019-12-12T12:17:47Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationВлияние солнечного света на электрические характеристики гетероструктуры диоксид титана/кремний / А. А. Курапцова [и др.] // Доклады БГУИР. – 2019. – № 7 (125). – С. 136-143. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-136-143ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37823-
dc.description.abstractПредставлены результаты теоретического моделирования электрических характеристик гетероструктуры диоксид титана/кремний в условиях солнечного облучения. Моделирование проведено с помощью математического описания процессов генерации и переноса носителей заряда для практически важных гетероструктур n-TiO2/p-Si. Установлено, что величина тока в области малых внешних смещений – до 0,6 В, нелинейным образом зависит от длины волны солнечного света и определяется переходом электронов из кремния в диоксид титана. Максимум тока соответствует длинам волн солнечного излучения в области 600 нм. Полученные результаты объясняются существенным различием коэффициентов поглощения и отражения солнечного излучения диоксида титана и кремния, обусловливающим закономерности генерации неравновесных носителей заряда в гетероструктуре n-TiO2/p-Si. Показано, что в отсутствии внешнего смещения в области длин волн солнечного излучения 500–600 нм электронные переходы из кремния в диоксид титана происходят свободно, а переходы дырок блокированы. Это позволяет при относительно тонком слое диоксида титана эффективно реализовывать процессы каталитической очистки воды и воздуха на его поверхности за счет окисления органических соединений путем захвата электронов на поверхностные состояния. Установленные закономерности перспективны для углубленного анализа электронных процессов на поверхности полупроводниковых широкозонных оксидов металлов и их практического использования в фотокаталитических процессах. Electrical characteristics of the heterostructure titanium dioxide/silicon illuminated by the sun light were theoretically modeled. The modeling process includes consideration of generation of the charge carriers and their transport through the practically important heterostructure n-TiO2/p-Si. The current through the structure under small external bias up to 0.6 V was found to depend nonlinearly on the light wavelength. It is controlled by the movement of the electrons from silicon to the titanium dioxide. The highest current corresponds to the wavelengths of about 600 nm. The results obtained are explained by the difference in the absorption coefficients and reflectivity of titanium dioxide and silicon which determine generation of nonequilibrium charge carriers in the heterostructure n-TiO2/p-Si. It was demonstrated that under illumination of the unbiased heterostructure with the light of 500–600 nm the generated electrons freely move from the titanium dioxide to silicon while the movement of holes is blocked. It helps to concentrate electrons in the relatively thin nearsurface layer of titanium dioxide and use them for catalytic purification of water and air by oxidation of organic pollutants at its surface. The regularities observed are important in the detailed analysis of electronic processes at the surface of wide band gap semiconducting metal oxides and their practical application in photocatalytic processes.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectдиоксид титанаru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectгетероструктураru_RU
dc.subjectфотокатализru_RU
dc.subjectмоделированиеru_RU
dc.subjecttitanium dioxideru_RU
dc.subjectsiliconru_RU
dc.subjectheterostructureru_RU
dc.subjectphotocatalysisru_RU
dc.subjectmodelingru_RU
dc.titleВлияние солнечного света на электрические характеристики гетероструктуры диоксид титана/кремнийru_RU
dc.title.alternativeEffect of sunlight on the electrical characteristics of the heterostructure of titanium dioxide/siliconru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№7 Спецвыпуск (125)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kuraptsova_Vliyaniye.pdf3.02 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.