| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Чан Туан Чунг | - |
| dc.contributor.author | Боровик, А. М. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.contributor.author | Кулешов, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-03-20T11:48:14Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:21:03Z | - |
| dc.date.available | 2015-03-20T11:48:14Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:21:03Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Приборно- технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторов / Чан Туан Чунг [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2014. - № 7 (85). - С. 21 - 27. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/3789 | - |
| dc.description.abstract | Посредством компьютерного моделирования получены вольтамперные характеристики
наноразмерных МОП-транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных структур, а также непригодность использования методов прямого квантового описания для исследований, требующих проведения большого количества компьютерных экспериментов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | наноразмерный МОП-транзистор | ru_RU |
| dc.subject | моделирование | ru_RU |
| dc.subject | квантовая коррекция | ru_RU |
| dc.title | Приборно-технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Technology and device nanoscale MOSFETS simulation | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №7 (85)
|
