DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Туровец, У. Е. | - |
dc.contributor.author | Гога, А. В. | - |
dc.date.accessioned | 2020-01-08T13:16:58Z | - |
dc.date.available | 2020-01-08T13:16:58Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.citation | Туровец У. Е. Анодное формирование ниобиевых наносеток с полупроводниковыми островками / Туровец У. Е., Гога А. В. // Электронные системы и технологии : 55-я юбилейная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г. : сборник тезисов докладов / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск : БГУИР, 2019. – С. 381-382. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38070 | - |
dc.description.abstract | Двухслойные системы Al/Nb (300/1500 нм) были проанодированы в водных растворах 0,4 М ортофосфорной, 0,2 и 0,4 М
винной, 0,2 М лимонной кислот при постоянных анодных напряжениях 150, 200, 250 и 300 В, исследованы морфологические
характеристики сформированных наноструктур и определены граничные условия формирования ниобиевых наносеток c
полупроводниковыми островками на этапе анодирования. Установлено, что для формирования ниобиевой наносетки на
этапе анодирования в 0,4 М ортофосфорной и 0,4 М винной кислоте требуется напылить не более ~75 нм ниобия, а для
водных 0,2 М растворов винной и 0,2 М лимонной кислот – не более ~100 нм. Полученные результаты открывают
возможности изготовления и применения ниобиевых наносеток в оптоэлектронных системах, биосенсорах, солнечной
энергетике и др. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | ниобиевые наносетки | ru_RU |
dc.subject | формирование наноразмерных сеток | ru_RU |
dc.title | Анодное формирование ниобиевых наносеток с полупроводниковыми островками | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 55-й юбилейной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019)
|