Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38134
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГорох, Г. Г.-
dc.contributor.authorДеминский, П. В.-
dc.contributor.authorЛозовенко, А. А.-
dc.contributor.authorЗахлебаева, А. А.-
dc.date.accessioned2020-01-13T08:02:43Z-
dc.date.available2020-01-13T08:02:43Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationФормирование буферных слоев с помощью анодного оксида алюминия на Si для эпитаксиального роста тринитридов / Горох Г. Г. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника: материалы XXIII Международного симпозиума, Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г. / Нижегородский госуниверситет имени Н.И. Лобачевского. – Нижний Новгород, 2019. – Т. 2. – С. 640 – 641.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38134-
dc.description.abstractПредложено две модели формирования темплетно-буферной системы для последующего синтеза на ней низкодефектных эпитаксиальных слоев тринитридов. Первая представляет модифицированную матрицу анодного оксида алюминия (АОА) с синтезированными в порах три нитридными наноструктурами заданного размера. Другая — систему регулярных наноотверстий на поверхности кремниевых подложек, создаваемых травлением через тонкие маски из АОА, в которых синтезируется наноструктуры нитрида галлия. Определены оптимальные геометрические параметры матричных слоев (радиус и высота пор) для формирования нового бездисло- кационного эпитаксиального слоя, оптимальные условия селективного эпитаксиального синтеза наночастиц GaN. Исследованы морфология и микроструктура буферных слоев, а также спектры люминесценции эпитаксиального слоев.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНижегородский госуниверситет имени Н.И. Лобачевскогоru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectтемплетно-буферные слоиru_RU
dc.subjectанодный оксид алюминияru_RU
dc.subjectнитрид галлияru_RU
dc.subjectгидридная газофазная эпитаксияru_RU
dc.titleФормирование буферных слоев с помощью анодного оксида алюминия на Si для эпитаксиального роста тринитридовru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Goroh_Formir.pdf962.11 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.