| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боднарь, И. В. | - |
| dc.contributor.author | Чан, Б. Т. | - |
| dc.contributor.author | Павловский, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Свитенков, И. Е. | - |
| dc.contributor.author | Яблонский, Г. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-01-22T11:48:45Z | - |
| dc.date.available | 2020-01-22T11:48:45Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12 / И. В. Боднарь [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2019. – Т. 53., № 12. – С. 1621 – 1624. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38298 | - |
| dc.description.abstract | Направленной кристаллизацией расплава выращены монокристаллы MnAgIn7S12 диаметром 16 и длиной∼40 мм, определены их состав и структура. Показано, что выращенный материал кристаллизуется в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в области края фундаментального поглощения в интервале температур 10−320 K определена ширина запрещенной зоны Eg монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Полученная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Проведен расчет, и показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | РАН | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | монокристаллы | ru_RU |
| dc.subject | кубическая структура шпинели | ru_RU |
| dc.subject | спектры пропускания | ru_RU |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | ru_RU |
| dc.title | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12 | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
