Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38422
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКонстантинов, А. А.-
dc.contributor.authorПанасюк, Н. А.-
dc.contributor.authorЯненко, Н. В.-
dc.date.accessioned2020-01-30T09:28:09Z-
dc.date.available2020-01-30T09:28:09Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationКонстантинов, А. А. Механизмы повреждений полупроводниковых структур, вызванные воздействием ЭМИ / А. А. Константинов, Н. А. Панасюк, Н. В. Яненко // Новые информационные технологии в научных исследованиях (НИТ-2019): материалы XХIV Всероссийской научно-технической конференции студентов, молодых ученых и специалистов, Рязань, 13 - 15 ноября 2019 г: в 2 т. / Министерство образования и науки РФ; Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина. – Рязань, 2019. – Т. 2. – С. 97 – 100.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38422-
dc.description.abstractВ результате анализа работ [1–10] выявлено существование пяти наиболее распространенных и связанных с электростатическим разрядом (ЭСР) механизмов отказов: тепловой вторичный пробой, расплавление металлизации, явления перегрева и пробоя, а также разрыв окисного слоя.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherРГРТУ имени В.Ф. Уткинаru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectэлектростатический разрядru_RU
dc.subjectтепловой вторичный пробойru_RU
dc.titleМеханизмы повреждений полупроводниковых структур, вызванные воздействием ЭМИru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Konstantinov_Mekhanizmy.pdf286.78 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.