DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Константинов, А. А. | - |
dc.contributor.author | Панасюк, Н. А. | - |
dc.contributor.author | Яненко, Н. В. | - |
dc.date.accessioned | 2020-01-30T09:28:09Z | - |
dc.date.available | 2020-01-30T09:28:09Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.citation | Константинов, А. А. Механизмы повреждений полупроводниковых структур, вызванные воздействием ЭМИ / А. А. Константинов, Н. А. Панасюк, Н. В. Яненко // Новые информационные технологии в научных исследованиях (НИТ-2019): материалы XХIV Всероссийской научно-технической конференции студентов, молодых ученых и специалистов, Рязань, 13 - 15 ноября 2019 г: в 2 т. / Министерство образования и науки РФ; Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина. – Рязань, 2019. – Т. 2. – С. 97 – 100. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38422 | - |
dc.description.abstract | В результате анализа работ [1–10] выявлено существование пяти наиболее
распространенных и связанных с электростатическим разрядом (ЭСР)
механизмов отказов: тепловой вторичный пробой, расплавление
металлизации, явления перегрева и пробоя, а также разрыв окисного слоя. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | РГРТУ имени В.Ф. Уткина | ru_RU |
dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
dc.subject | электростатический разряд | ru_RU |
dc.subject | тепловой вторичный пробой | ru_RU |
dc.title | Механизмы повреждений полупроводниковых структур, вызванные воздействием ЭМИ | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|