DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Алексеев, В. Ф. | - |
dc.contributor.author | Лихачевский, Д. В. | - |
dc.contributor.author | Пискун, Г. А. | - |
dc.date.accessioned | 2020-06-10T07:25:47Z | - |
dc.date.available | 2020-06-10T07:25:47Z | - |
dc.date.issued | 2020 | - |
dc.identifier.citation | Алексеев, В. Ф. Моделирование тепловых полей электронных систем в среде ANSYS / В. Ф. Алексеев, Д. В. Лихачевский, Г. А. Пискун // BIG DATA and Advanced Analytics = BIG DATA и анализ высокого уровня: сб. материалов VI Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 20-21 мая 2020 года: в 3 ч. Ч. 3 / редкол.: В. А. Богуш [и др.]. – Минск : Бестпринт, 2020. – С. 282–286. | ru_RU |
dc.identifier.issn | 978-985-90533-9-9 | - |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39052 | - |
dc.description.abstract | Показана необходимость оценки теплового режима электронной системы на ранних стадиях проектирования. Для этих целей рекомендуется моделирование тепловых процессов, протекающих в ЭС. Показано, что наиболее часто тепловое моделирование выполняется методами изотермических поверхностей, однородного анизотропного тела и экспериментальными методами. Рассмотрено моделирование тепловых процессов модели устройства в среде ANSYS. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Беспринт | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | электронные системы | ru_RU |
dc.subject | тепловые процессы | ru_RU |
dc.subject | ANSYS | ru_RU |
dc.subject | electronic systems | - |
dc.subject | thermal processes | - |
dc.title | Моделирование тепловых полей электронных систем в среде ANSYS | ru_RU |
dc.title.alternative | Modeling of thermal fields of electronic systems on ANSYS | - |
dc.type | Article | ru_RU |
local.description.annotation | The necessity of evaluating the thermal regime of an electronic system at the early stages of design is shown. For these purposes, it is recommended to model the thermal processes occurring in the ES. It is shown that most often thermal modeling is performed by methods of isothermal surfaces, a homogeneous anisotropic body, and experimental methods. Modeling of thermal processes of the device model in the ANSYS environment is considered. | - |
Appears in Collections: | BIG DATA and Advanced Analytics = BIG DATA и анализ высокого уровня : материалы конференции (2020)
|