| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Холяво, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Сафронов, И. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-09-09T06:44:13Z | - |
| dc.date.available | 2020-09-09T06:44:13Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Холяво, И. И. Исследование теплопроводности <011>-ориентированных наношнуров Si/Ge со структурами типа ядро-оболочка и сегментного типа / Холяво И. И., Хомец А. Л., Сафронов И. В. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 56-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель-май 2020 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск : БГУИР, 2020. - С. 25-26. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39820 | - |
| dc.description.abstract | В работе проведено исследование влияния морфологии наношнуров Si и Ge с ориентацией <011> и диаметром около 5 нм на их теплопроводность. Обнаружено, что для наношнуров Si-ядро/Ge-оболочка возможно достичь коэффициента теплопроводности менее 10 Вт/(м∙К), и для наношнуров сегментного типа 2 Вт/(м∙К), в то время как значения теплопроводности для наношнуров из чистого Si и Ge составляют 19,1 и 11,4 Вт/(м∙К). | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | наношнуры | ru_RU |
| dc.subject | наноструктуры | ru_RU |
| dc.subject | теплопроводность | ru_RU |
| dc.title | Исследование теплопроводности <011>-ориентированных наношнуров Si/Ge со структурами типа ядро-оболочка и сегментного типа | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 56-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2020)
|
