Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39842
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТкаченок, Н. М.-
dc.contributor.authorЧубенко, Е. Б.-
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.-
dc.date.accessioned2020-09-10T06:54:06Z-
dc.date.available2020-09-10T06:54:06Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationТкачёнок, Н. М. Формирование электрохимическим методом композитных материалов на основе оксида цинка и меди / Н. М. Ткачёнок, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко // Доклады БГУИР. – 2020. – № 18 (5). – С. 17–25. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-5-17-25.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39842-
dc.description.abstractМетодом электрохимического осаждения на подложках из монокристаллического кремния получены структуры на основе ZnO и Cu, представляющие собой поликристаллический композит, состоящий из кристаллического ZnO с кристаллографической ориентацией (002) и (101), легированного Cu, и кристаллитов металлической Cu. При исследовании полученных пленок методом рамановской спектроскопии было подтверждено образование кристаллического ZnO. Было получено, что на спектрах комбинационного рассеяния всех образцов присутствует полоса с максимумом, относящаяся к колебательной моде ZnO 2А1(LO). Также на спектрах каждого из образцов присутствует полоса в области 649 см-1, не связанная с колебательными модами решетки собственного кристаллического ZnO. Показано, что при увеличении плотности тока осаждения в диапазоне 2–10 мА/см2 концентрация Cu в материале снижается, при этом уменьшается количество кластеров Cu, но возрастает степень легирования ZnO ионами Cu. Композиты на основе ZnO демонстрируют широкую полосу фотолюминесценции в диапазоне длин волн 500–700 нм, связанную с наличием вакансий и междоузельных атомов кислорода в кристаллической решетке. При плотности тока осаждения 5 мА/см2 наблюдается коротковолновой сдвиг полосы фотолюминесценции, обусловленный легированием Cu, так как в запрещенной зоне создаются примесные уровни, связанные с присутствием Cu в пленках ZnO. Наблюдалось изменение интенсивности излучения при плотности тока 10 мА/см2, что обусловлено большей толщиной полученных пленок. Результаты исследования могут быть использованы при разработке технологии изготовления оптоэлектронных и фотовольтаических приборов, фотокаталитических покрытий на основе ZnO.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectэлектрохимическое осаждениеru_RU
dc.subjectнанокомпозитные материалыru_RU
dc.subjectрентгеновская дифрактометрияru_RU
dc.subjectрамановская спектроскопияru_RU
dc.subjectфотолюминесценцияru_RU
dc.subjectelectrochemical depositionru_RU
dc.subjectnanocomposite materialsru_RU
dc.subjectX - ray diffractometryru_RU
dc.subjectRaman spectroscopyru_RU
dc.subjectphotoluminescenceru_RU
dc.titleФормирование электрохимическим методом композитных материалов на основе оксида цинка и медиru_RU
dc.title.alternativeElectrochemical forming of composite materials based on zinc and copper oxideru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationStructures based on ZnO and Cu, which are a polycrystalline composite consisting of crystalline ZnO with a crystallographic orientation of (002) and (101) doped with Cu and crystalline metallic Cu, were obtained by electrochemical deposition on substrates of single crystal origin. In the study of the obtained films by Raman spectroscopy, the forming of crystalline ZnO was confirmed. ZnO 2A1 (LO), also in the spectra of each of the bands present in the 649 cm-1 region, not related to the vibrating lattice modes of the intrinsic crystalline ZnO. It was shown that with an increase in the deposition current density in the range of 2–10 mA/cm2, the concentration of Cu in the material weakens, while the number of Cu clusters decreases, but the degree of doping of ZnO with Cu ions increases. ZnO-based composites exhibit a broad photoluminescence band in the long wavelength range of 500–700 nm, related with vacancies and interstitial oxygen atoms in the crystal lattice. At a current density of 5 mA / cm2, short-wavelength shifts of the photoluminescence bands are observed, due to the doping of Cu, since impurity levels are created in the band gap associated with the presence of Cu in ZnO films. A change in the radiation intensities was observed at a current density of 10 mA/cm2, which is due to the greater thickness of the obtained films. The results can be used to develop the manufacturing technology of optoelectronic and photovoltaic devices, photocatalytic coatings based on ZnO.-
Appears in Collections:№ 18(5)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tkachenok_Formirovaniye.pdf827.32 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.