Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/41550
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБаранова, М. С.-
dc.contributor.authorПроскурова, П. А.-
dc.date.accessioned2020-12-09T06:41:09Z-
dc.date.available2020-12-09T06:41:09Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationБаранова, М. С. Электронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмом / Баранова М. С., Проскурова П. А. // Доклады БГУИР. – 2020. – № 18 (7). – С. 87–95. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-87-95.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/41550-
dc.description.abstractПоиск физических фундаментальных закономерностей, приводящих к устойчивому высокотемпературному ферромагнетизму, является актуальной задачей. Кроме уже синтезированных двумерных материалов, остается широкий перечень возможных структур, стабильность которых предсказана теоретически. В статье представлены результаты изучения электронных свойств соединений на основе халькогенидов переходных металлов MAX 3 (M = Cr, Fe, A = Ge, Si, X = S, Se, Te) с наноструктурированным магнетизмом. Исследования проводились с помощью квантово-механического моделирования в специализированном программном комплексе VASP, а также расчетов в рамках модели Гейзенберга. Определены основные магнитные состояния двумерных MAX 3 и соответствующие им зонные энергетические структуры. Установлено, что среди изучаемых систем наноразмерным ферромагнетиком является CrGeTe 3. Кроме того, данное соединение является полупроводником с шириной запрещенной зоны равной 0,35 эВ. Остальные материалы являются антиферромагнетиками. Весь магнитный момент в MAX 3 локализован на атомах переходного металла, в частности, на d-орбитали атома переходного металла (и лишь незначительная часть – на p-орбитали халькогена). Для CrGeTe 3 проведены расчеты интеграла обменного взаимодействия. Установлены вероятностные механизмы формирования магнитного порядка. Согласно полученным интегралам обменного взаимодействия, в плоскости полупроводника формируется строгий ферромагнитный порядок. Распределение парциальной плотности электронных состояний указывает на гибридизацию между d-орбиталью атома переходного металла и p-орбиталью халькогена. Определено, что более вероятностным является обменное взаимодействие по механизму суперобмена.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИР, РБru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectab initio моделированиеru_RU
dc.subjectтеория функционала плотностиru_RU
dc.subjectнаноразмерный магнетизмru_RU
dc.subjectферромагнетизмru_RU
dc.subjectab initio simulationru_RU
dc.subjectdensity functional theoryru_RU
dc.subjectnanoscale magnetismru_RU
dc.subjectferromagnetismru_RU
dc.titleЭлектронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмомru_RU
dc.title.alternativeElectronic properties of quasi two-dimensional transition metals chalcogenides with low-dimensional magnetism.ru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe search for fundamental physical laws which lead to stable high-temperature ferromagnetism is an urgent task. In addition to the already synthesized two-dimensional materials, there remains a wide list of possible structures, the stability of which is predicted theoretically. The article suggests the results of studying the electronic properties of MAX 3 (M = Cr, Fe, A = Ge, Si, X = S, Se, Te) transition metals based compounds with nanostructured magnetism. The research was carried out using quantum mechanical simulation in specialized VASP software and calculations within the Heisenberg model. The ground magnetic states of two-dimensional MAX 3 and the corresponding energy band structures are determined. We found that among the systems under study, CrGeTe 3 is a semiconductor nanosized ferromagnet. In addition, one is a semiconductor with a bandgap of 0.35 eV. Other materials are antiferromagnetic. The magnetic moment in MAX 3 is localized on the transition metal atoms: in particular, the main one on the d-orbital of the transition metal atom (and only a small part on the p-orbital of the chalcogen). For CrGeTe 3, the exchange interaction integral is calculated. The mechanisms of the formation of magnetic order was established. According to the obtained exchange interaction integrals, a strong ferromagnetic order is formed in the semiconductor plane. The distribution of the projection density of electronic states indicates hybridization between the d-orbital of the transition metal atom and the p-orbital of the chalcogen.The study revealed that the exchange interaction by the mechanism of superexchange is more probabilistic.-
Appears in Collections:№ 18(7)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Baranova_Elektronnyye.pdf626.27 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.