Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42072
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛапшин, С. М.-
dc.contributor.authorПылик, Е. И.-
dc.contributor.authorСереденко, Р. С.-
dc.contributor.authorТаболич, Т. Г.-
dc.date.accessioned2020-12-23T11:16:50Z-
dc.date.available2020-12-23T11:16:50Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationСравнение влияния температуры на безотказность конденсаторов и кремниевых транзисторов / Лапшин С. М. [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 97.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42072-
dc.description.abstractИсследование влияния температуры на надёжность электрорадиоэлементов с помощью построения линий Аррениуса, начатое для кремниевых транзисторов, было продолжено для конденсаторов. В среде MathCAD были построены линии Аррениуса для деградационных процессов, вызывающих отказы электролитических, бумажных, керамических, слюдяных, плёночных и других конденсаторов.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectкремниевые транзисторыru_RU
dc.subjectтранзисторыru_RU
dc.subjectконденсаторыru_RU
dc.titleСравнение влияния температуры на безотказность конденсаторов и кремниевых транзисторовru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2010

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lapshin_Sravneniye.pdf86.82 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.