| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Редько, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Шёлковая, Т. В. | - |
| dc.contributor.author | Петрович, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Трухан, В. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-24T06:59:19Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-24T06:59:19Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Особенности частотной дисперсии диэлектрической проницаемости гетероструктур на основе ZNAS2 / Редько С. В. [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 118–119. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42112 | - |
| dc.description.abstract | Прямозонный полупроводник диарсенид цинка — соединение группы А2В5 с моноклинной кристаллической решеткой. Особенности пространственного расположения межатомных связей в таких кристаллах приводят к сильной анизотропии оптических и электрофизических свойств этого материала. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрическая проницаемость | ru_RU |
| dc.subject | частотная дисперсия | ru_RU |
| dc.subject | гетероструктуры | ru_RU |
| dc.title | Особенности частотной дисперсии диэлектрической проницаемости гетероструктур на основе ZNAS2 / Редько С. В. [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 118–119. | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2010
|
