| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боднарь, И. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-24T13:14:15Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-24T13:14:15Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Боднарь, И. В. Теплопроводность твердых растворов Cu2ZnGe1−xSnxSe4 / И. В. Боднарь // Физика и техника полупроводников. – 2020. – Т. 54, № 2. – С. 113–116. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42155 | - |
| dc.description.abstract | Методом Бриджмена (вертикальный вариант) выращены кристаллы соединений Cu2ZnGeSe4, Cu2ZnSnSe4 и твердых растворов Cu2ZnGe1-xSnxSe4, определен состав и структура полученных кристаллов. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в тетрагональной структуре. Рассчитаны параметры элементарной ячейки a и c указанных кристаллов и построены их концентрационные зависимости. Показано, что изменение параметров a и c с составом x осуществляется в соответствии с законом Вегарда. В интервале температур 300-600 K измерена теплопроводность соединений Cu2ZnGeSe4, Cu2ZnSnSe4 и твердых растворов Cu2ZnGe1-xSnxSe4. Установлено, что теплопроводность с составом х изменяется с минимумом для среднего состава. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | метод Бриджмена | ru_RU |
| dc.subject | твердые растворы | ru_RU |
| dc.title | Теплопроводность твердых растворов Cu2ZnGe1−xSnxSe4 | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
