| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Вилья, Н. | - |
| dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Мельников, С. Н. | - |
| dc.contributor.author | Нгуен, Т. Д. | - |
| dc.contributor.author | Голосов, А. Д. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-01-05T12:24:24Z | - |
| dc.date.available | 2021-01-05T12:24:24Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Формирование пленок оксида тантала на подложках диаметром 200 миллиметров = Formation of tantalum oxide films on substrates with a diameter of 200 mm / Н. Вилья [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. – 2020. – № 1 (42). – С. 12–17. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42324 | - |
| dc.description.abstract | В результате исследований процессов реактивного магнетронного распыления Ta мишени в среде Ar/O2 рабочих газов установлено, что формирование диэлектрических пленок наблюдается при концентрациях O2 более 50% и определяется энтальпией образования оксида из исходного металла. Использование высоковакуумного распыления позволяет стабилизировать процесс без использования систем обратной связи. Показано, что при нанесении пленок оксида тантала на вращающуюся подложку 200 мм возможно получение слоев с неравномерностью толщины менее ±2.4% и неравномерностью распределения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь менее ±18%. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | оксид тантала | ru_RU |
| dc.subject | тонкие пленки | ru_RU |
| dc.subject | реактивное магнетронное распыление | ru_RU |
| dc.subject | МДП структура | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрические свойства | ru_RU |
| dc.subject | tantalum oxide | ru_RU |
| dc.subject | thin films | ru_RU |
| dc.subject | reactive magnetron sputtering | ru_RU |
| dc.subject | MOS structure | ru_RU |
| dc.subject | dielectric properties | ru_RU |
| dc.title | Формирование пленок оксида тантала на подложках диаметром 200 миллиметров | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of tantalum oxide films on substrates with a diameter of 200 mm | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | As a result of studies of the processes of reactive magnetron sputtering of a Ta target in an Ar/O2 working gas mixture, it is found that the formation of dielectric films is observed at the concentration of O2 higher than 50% and it is determined by the enthalpy of oxide formation from the source metal. The use of high-vacuum sputtering allows stabilizing the process without the use of feedback systems. It is shown that when depositing tantalum oxide films on a 200 mm rotating substrate, it is possible to obtain layers with a thickness non-uniformity of less than ±2.4%, a capacitance and dielectric loss tangent nonuniformity of less than ±18%. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
