Структурные и фотолюминесцентные свойства графитоподобного нитрида углерода

Баглов, А. В.; Чубенко, Е. Б.; Гнитько, А. А.; Борисенко, В. Е.; Малашевич, А. А.; Углов, В. В.; Baglov, A. V.; Chubenko, E. B.; Hnitsko, A. A.; Borisenko, V. E.; Malashevich, A. A.; Uglov, V. V.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42673

Название:	Структурные и фотолюминесцентные свойства графитоподобного нитрида углерода
Другие названия:	Structural and photoluminescent properties of graphite-like carbon nitride
Авторы:	Баглов, А. В. Чубенко, Е. Б. Гнитько, А. А. Борисенко, В. Е. Малашевич, А. А. Углов, В. В. Baglov, A. V. Chubenko, E. B. Hnitsko, A. A. Borisenko, V. E. Malashevich, A. A. Uglov, V. V.
Ключевые слова:	публикации ученых;графитоподобный нитрид углерода;фотолюминесценция
Дата публикации:	2020
Издательство:	Pleiades Publishing
Описание:	Структурные и фотолюминесцентные свойства графитоподобного нитрида углерода = Structural and photoluminescent properties of graphite-like carbon nitride / А. В. Баглов [и др.] // Semiconductors. – 2020. – Vol. 54, № 2. – P. 226–230. – DOI: 10.21883/0000000000.
Аннотация:	Установлена взаимосвязь между структурой и оптическими свойствами полупроводникового графитоподобного нитрида углерода, полученного термической обработкой тиокарбамида в диапазоне температур от 400 до 625◦C в кислородсодержащей среде. Отмечено смещение максимума полосы фотолюминесценции от 417 к 494нм при одновременном ее уширении с увеличением температуры синтеза вплоть до 625◦C, что объяснено легированием кислородом, а также образованием дефектов вследствие разложения уже синтезированного материала при повышении температуры.
Аннотация на другом языке:	The relationship between the structure and optical properties of semiconductor graphite-like carbon nitride obtained by heat treatment of thiocarbamide in the temperature range from 400 to 625◦C in an oxygen-containing medium is established. A shift of the maximum of the photoluminescence band from 417 to 494nm was noted with its simultaneous broadening with increasing synthesis temperature up to 625◦C, which is explained by doping with oxygen, as well as the formation of defects due to decomposition of already synthesized material with increasing temperature.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42673
Располагается в коллекциях:	Публикации в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
Baglov_Strukturnyye.pdf		814.95 kB	Adobe PDF	Открыть

Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.