Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42837
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorХмыль, А. А.-
dc.contributor.authorЕмельянов, А. В.-
dc.contributor.authorАлиева, Н. В.-
dc.contributor.authorЕмельянов, В. А.-
dc.contributor.authorТрусов, В. Л.-
dc.contributor.authorШикуло, В. Е.-
dc.contributor.authorСенько, С. Ф.-
dc.date.accessioned2021-02-04T05:54:50Z-
dc.date.available2021-02-04T05:54:50Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationКонденсатор для интегральных микросхем : пат. 9178 U Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 29/94 / Хмыль А. А., Емельянов А. В., Алиева Н. В., Емельянов В. А., Трусов В. Л., Шикуло В. Е., Сенько С. Ф. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № u 20120965 ; заявл. 06.11.2012 ; опубл. 30.04.2013. – 6 с. : ил.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42837-
dc.description.abstractКонденсатор для интегральных микросхем, содержащий нижнюю обкладку из легированного поликристаллического кремния, расположенную на диэлектрической пленке, сформированной на полупроводниковой подложке с активными элементами, пленку конденсаторного диэлектрика, состоящую из слоя диоксида кремния и слоя нитрида кремния, и верхнюю обкладку из легированного поликристаллического кремния, отличающийся тем, что дополнительно содержит слой оксинитрида кремния толщиной 1-5 нм, расположенный между слоем нитрида кремния и верхней обкладкой.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНациональный центр интеллектуальной собственности, РБru_RU
dc.subjectпатентыru_RU
dc.subjectинтегральные микросхемыru_RU
dc.subjectконденсаторыru_RU
dc.titleКонденсатор для интегральных микросхемru_RU
dc.title.alternativeПат. 9178 U Респ. Беларусьru_RU
dc.typeДругоеru_RU
Appears in Collections:Полезные модели

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
9178.pdf495.63 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.