https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42903| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Баранов, И. Л. | - |
| dc.contributor.author | Табулина, Л. В. | - |
| dc.contributor.author | Русальская, Т. Г. | - |
| dc.contributor.author | Звонова, О. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-02-09T08:41:26Z | - |
| dc.date.available | 2021-02-09T08:41:26Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Способ травления кремниевой подложки : пат. 13528 Респ. Беларусь : МПК (2009) C 25F 3/00, H 01L 21/02 / Баранов И. Л., Табулина Л. В., Русальская Т. Г., Звонова О. С. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20060701 ; заявл. 28.02.2008 ; опубл. 30.10.2010. – 7 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42903 | - |
| dc.description.abstract | Способ травления кремниевой подложки, при котором погружают кремниевую подложку в разбавленный водный раствор, содержащий 0,5-1,1 % NH 4 F, 1,0-1,75 % HF и 0,07-0,14 % смачивающей добавки СВ-1017, и пропускают через кремниевую подложку анодный ток плотностью 50-75 мА/см 2. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | кремниевые подложки | ru_RU |
| dc.subject | травление | ru_RU |
| dc.title | Способ травления кремниевой подложки | ru_RU |
| dc.title.alternative | Пат. 13528 Респ. Беларусь | ru_RU |
| dc.type | Другое | ru_RU |
| Appears in Collections: | Изобретения | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.