Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42922
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.-
dc.contributor.authorКлышко, А. А.-
dc.contributor.authorЧубенко, Е. Б.-
dc.date.accessioned2021-02-10T08:18:04Z-
dc.date.available2021-02-10T08:18:04Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationСпособ формирования слоев кристаллического оксида цинка : пат. 16930 Респ. Беларусь : МПК (2006) C 23C 18/16, C 30B 29/16 / Бондаренко В. П., Клышко А. А., Чубенко Е. Б. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20101309 ; заявл. 30.04.2012 ; опубл. 30.04.2013. – 4 с. : ил.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42922-
dc.description.abstractСпособ формирования слоя кристаллического оксида цинка, включающий химическое формирование оксида цинка из водного раствора цинката натрия при комнатной температуре, отличающийся тем, что химическое формирование оксида цинка осуществляют за счет преобразования слоя алюминия на поверхности подложки при последовательной обработке в водном растворе цинката натрия, содержащем гидроксид натрия в количестве 50-140 г/л и оксид цинка в количестве 10-40 г/л, водном растворе азотной кислоты и повторной обработке в водном растворе цинката натрия и деионизованной воде.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНациональный центр интеллектуальной собственностиru_RU
dc.subjectпатентыru_RU
dc.subjectэлектронная техникаru_RU
dc.subjectоксидированиеru_RU
dc.subjectполупроводниковые приборыru_RU
dc.titleСпособ формирования слоев кристаллического оксида цинкаru_RU
dc.title.alternativeПат. 16930 Респ. Беларусьru_RU
dc.typeДругоеru_RU
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
16930.pdf478.18 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.