Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов

Abstract

Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов, заключающийся в том, что для формирования первого уровня системы межсоединений на поверхность диэлектрического основания или металлического основания с диэлектрическим слоем напыляют слой алюминия, осуществляют первую фотолитографию по рисунку будущих дорожек межсоединений уровня, выращивают методом анодирования на открытых участках плотный оксид алюминия, снимают фоторезист, осуществляют пористое анодирование в течение 30-50 с поверхности открытых участков алюминия при напряжении, составляющем 0,6-0,8 от напряжения последующего сквозного пористого анодирования, осуществляют вторую фотолитографию по рисунку контактных переходов в следующий уровень системы межсоединений или внешних контактных площадок, осуществляют сквозное пористое анодирование алюминия между дорожками системы межсоединений, снимают фоторезист, осуществляют ионное травление в вакуумной камере поверхности до удаления дополнительно сформированного окисла алюминия на контактных переходах в следующий уровень системы межсоединений или внешних контактных площадках, для формирования последующих уровней системы межсоединений на полученную структуру напыляют слой алюминия и повторяют указанную последовательность операций.