Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42950
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorХмыль, А. А.-
dc.contributor.authorЕмельянов, А. В.-
dc.contributor.authorАлиева, Н. В.-
dc.contributor.authorЕмельянов, В. А.-
dc.contributor.authorТрусов, В. Л.-
dc.contributor.authorШикуло, В. Е.-
dc.contributor.authorСенько, С. Ф.-
dc.date.accessioned2021-02-12T05:54:55Z-
dc.date.available2021-02-12T05:54:55Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationСпособ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы : пат. 19536 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01G 4/33 / Хмыль А. А., Емельянов А. В., Алиева Н. В., Емельянов В. А., Трусов В. Л., Шикуло В. Е., Сенько С. Ф. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20121544 ; заявл. 30.06.2014 ; опубл. 30.10.2015. – 7 с. : ил.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42950-
dc.description.abstractСпособ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы, в котором на кремниевой подложке с активными областями формируют нижнюю обкладку конденсатора из моно- или поликристаллического кремния, окисляют ее поверхность до получения на ней слоя диоксида кремния заданной толщины, осаждают на него слой нитрида кремния заданной толщины, окисляют указанный осажденный слой в парах воды при температуре от 800 до 900 °С до формирования слоя оксинитрида кремния толщиной от 1 до 5 нм, а затем формируют на поверхности полученной слоистой структуры верхнюю обкладку конденсатора путем осаждения на нее слоя легированного поликристаллического кремния требуемой конфигурации, а также присоединяют к указанным обкладкам локальные электрические контакты.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНациональный центр интеллектуальной собственности, РБru_RU
dc.subjectпатентыru_RU
dc.subjectинтегральные микросхемыru_RU
dc.subjectконденсаторыru_RU
dc.subjectэлектронная техникаru_RU
dc.titleСпособ изготовления конденсатора для интегральной микросхемыru_RU
dc.title.alternativeПат. 19536 Респ. Беларусьru_RU
dc.typeДругоеru_RU
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
19536.pdf522.79 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.