Способ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы

Abstract

Способ изготовления конденсатора для интегральной микросхемы, в котором на кремниевой подложке с активными областями формируют нижнюю обкладку конденсатора из моно- или поликристаллического кремния, окисляют ее поверхность до получения на ней слоя диоксида кремния заданной толщины, осаждают на него слой нитрида кремния заданной толщины, окисляют указанный осажденный слой в парах воды при температуре от 800 до 900 °С до формирования слоя оксинитрида кремния толщиной от 1 до 5 нм, а затем формируют на поверхности полученной слоистой структуры верхнюю обкладку конденсатора путем осаждения на нее слоя легированного поликристаллического кремния требуемой конфигурации, а также присоединяют к указанным обкладкам локальные электрические контакты.