Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42955
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.-
dc.contributor.authorКлышко, А. А.-
dc.contributor.authorЧубенко, Е. Б.-
dc.date.accessioned2021-02-12T07:49:06Z-
dc.date.available2021-02-12T07:49:06Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationСпособ профилирования пластины из монокристаллического кремния : пат. 19684 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 21/00 / Бондаренко В. П., Клышко А. А., Чубенко Е. Б. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20121610 ; заявл. 30.06.2014 ; опубл. 30.12.2015. – 6 с. : ил.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42955-
dc.description.abstractСпособ профилирования пластины из монокристаллического кремния, в котором на поверхности пластины формируют маску из нитрида кремния с подслоем оксида кремния, далее создают в указанной поверхности локальные области пористого кремния толщиной не менее 100 мкм путем ее анодной обработки в водном растворе электролита, содержащего изопропиловый спирт и 45%-ную фтористоводородную кислоту в количестве от 40 до 60 об. %, при плотности анодного тока от 35 до 120 мА/см 2 и температуре раствора от 1 до 5 °С, а затем создают углубления в поверхности пластины путем удаления из нее сформированных областей пористого кремния.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНациональный центр интеллектуальной собственности, РБru_RU
dc.subjectпатентыru_RU
dc.subjectмонокристаллические структурыru_RU
dc.subjectэлектронная техникаru_RU
dc.subjectполупроводниковые приборыru_RU
dc.titleСпособ профилирования пластины из монокристаллического кремнияru_RU
dc.title.alternativeПат. 19684 Респ. Беларусьru_RU
dc.typeДругоеru_RU
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
19684.pdf101.68 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.