Способ травления полупроводниковой кремниевой подложки

Баранов, И. Л.; Табулина, Л. В.; Русальская, Т. Г.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Баранов, И. Л.	-
dc.contributor.author	Табулина, Л. В.	-
dc.contributor.author	Русальская, Т. Г.	-
dc.date.accessioned	2021-02-12T09:46:08Z	-
dc.date.available	2021-02-12T09:46:08Z	-
dc.date.issued	2016	-
dc.identifier.citation	Способ травления полупроводниковой кремниевой подложки : пат. 20182 Респ. Беларусь : МПК (2006) C 25F 3/12, H 01L 21/3063 / Баранов И. Л., Табулина Л. В., Русальская Т. Г. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20130017 ; заявл. 30.08.2014 ; опубл. 30.06.2016. – 7 с.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42962	-
dc.description.abstract	Способ травления полупроводниковой кремниевой подложки, включающий погружение кремниевой подложки в водный раствор, содержащий 1,0-1,75 % HF, 0,5-1,1 % NH 4 F и 0,07-0,14 % смачивающей добавки СВ-1017, и пропускание через нее анодного тока, отличающийся тем, что используют водный раствор, дополнительно содержащий 0,0025-0,01 % неионогенного гидрофильного высокомолекулярного поверхностно-активного вещества полиоксиэтилена, а через подложку пропускают анодный ток плотностью 100-120 мА/см 2.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Национальный центр интеллектуальной собственности	ru_RU
dc.subject	патенты	ru_RU
dc.subject	полупроводники	ru_RU
dc.subject	кремниевые подложки	ru_RU
dc.subject	травление кремния	ru_RU
dc.subject	микроэлектромеханические системы	ru_RU
dc.title	Способ травления полупроводниковой кремниевой подложки	ru_RU
dc.title.alternative	Пат. 20182 Респ. Беларусь	ru_RU
dc.type	Другое	ru_RU
Appears in Collections:	Изобретения