Способ изготовления основания для многокристального микроэлектронного модуля

Abstract

Способ изготовления основания для многокристального микроэлектронного модуля, в котором предварительно обрабатывают заготовку указанного основания, выполненную из алюминия или сплава на его основе, до получения заданной шероховатости ее поверхности, а также осуществляют ее термообработку при температуре от 500 до 550 °С в течение промежутка времени от 10 до 20 мин, затем формируют на поверхности заготовки методом электрохимического анодирования слой пористого оксида алюминия глубиной от 2 до 5 мкм при анодном напряжении от 10 до 15 В, затем вторично анодируют ту же сторону заготовки при напряжении, оптимальном для используемого электролита, формируя на ней слой пористого оксида алюминия требуемой глубины, далее проводят анодирование той же стороны заготовки в течение промежутка времени от 2 до 5 мин при напряжении, в 2-4 раза большем или меньшем напряжения при вторичном анодировании, либо при переменном напряжении с амплитудой от 0,5 до 1,0 от напряжения при вторичном анодировании, а затем заполняют поры образованного оксидного слоя жидким позитивным либо негативным фоторезистом, высушивают полученную структуру при температуре от 100 до 120 °С и выдерживают ее при температуре от 300 до 350 °С в течение промежутка времени от 0,5 до 1 ч, после чего механически полируют ее поверхность.