Способ термического вакуумного получения тонкой пленки SNS

Abstract

Способ термического вакуумного получения тонкой пленки SnS, при котором осуществляют напыление испаряемого материала SnS на стеклянную подложку при температуре подложки 300 °С, давлении 10 -6 Торр, расстоянии между испаряемым материалом и подложкой 12 см и переносе паров испаряемого материала к подложке в кварцевой трубке с температурой от 590 до 610 °С в течение от 10 до 30 мин, отличающийся тем, что полученную пленку подвергают дополнительной температурной обработке в откачанной ампуле в вакууме при давлении 10 -6 Торр и температуре от 400 до 430 °С в течение 60 мин.