Получение золь-гель методом наноструктурированных материалов на основе танталата (танталата-ниобата) висмута-стронция для конденсаторных структур

Abstract

Одной из актуальных проблем современного приборостроения и микроэлектроники является получение сегнетоэлектриков для различных конденсаторных структур, в том числе запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключении питания и обладающих повышенными значениями ёмкости и низкими токами утечки. Вследствие миниатюризации устройств возникает необходимость уменьшения толщин конденсаторных слоёв до нанометрового масштаба, в связи с этим определяющую роль начинают играть наноразмерные эффекты в сегнетоэлектриках, в частности, изменение температуры Кюри для наноструктурированных тонких слоёв в сравнении с объёмным материалом, а также усиление либо ослабление поляризации сегнетоэлектрика в зависимости от размера и формы наночастиц. Перспективным материалом в классе сегнетоэлектриков со структурой перовскита является танталат (танталат-ниобат) висмута-стронция SrBi2Ta2O9 (SrBi2(TaxNb1−x)2O9), который в отличие от Pb(ZrxTi1-x)О3 (PZT) обладает улучшенными усталостными характеристиками и сохраняет поляризацию даже после многократного количества циклов переключений поляризации.