DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
dc.date.accessioned | 2021-03-15T08:58:54Z | - |
dc.date.available | 2021-03-15T08:58:54Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Электронная структура, оптические и магнитные свойства полупроводниковых соединений AIIBIVCV2, AI2BIVCVI3, AIVBVI, AVIBVI2 : автореф. дисс. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / А. В. Кривошеева ; науч. рук. В. Е. Борисенко. – Минск : БГУИР, 2018. – 38 с. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43199 | - |
dc.description.abstract | Основной материал современной электронной промышленности – кремний, являясь непрямозонным немагнитным полупроводником, имеет ограниченное применение в оптоэлектронике и спинтронике, вследствие чего постоянно ведётся поиск материалов, совместимых с кремниевой технологией и обладающих при этом различной структурой, уникальными оптическими и магнитными свойствами. К таким материалам относятся малоисследованные многокомпонентные полупроводниковые соединения и полупроводниковые двумерные кристаллы, интерес к которым особенно возрос после получения графена. В диссертационной работе излагаются результаты исследований, направленных на выявление возможных путей модификации малоизученных атомной и электронной структуры, а также оптических и магнитных свойств перспективных многокомпонентных полупроводниковых соединений AIIBIVCV2, AI2BIVCVI3, AIVBVI и AVIBVI2 за счёт легирования примесями и наличия в них дефектов. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
dc.subject | кремний | ru_RU |
dc.subject | электроника | ru_RU |
dc.subject | полупроводниковые соединения | ru_RU |
dc.title | Электронная структура, оптические и магнитные свойства полупроводниковых соединений AIIBIVCV2, AI2BIVCVI3, AIVBVI, AVIBVI2 | ru_RU |
dc.type | Автореферат | ru_RU |
Appears in Collections: | 01.04.10 Физика полупроводников
|