Синтез пленок SiOF, полученных прямым осаждением из ионных пучков

Abstract

Исследовано влияние состава рабочего газа и температуры подложки на электрофизические характеристики пленок SiOF, полученных прямым осаждением из ионных пучков моносилана, аргона, кислорода и хладона-14. Установлено, что увеличение парциального давления хладона-14 привело к существенному уменьшению диэлектрической проницаемости. Повышение температуры подложки привело к росту диэлектрической проницаемости, что это может быть связано с десорбцией фтора из покрытия.The effect of the composition of the working gas and the substrate temperature on the electrophysical characteristics of SiOF films obtained by direct deposition from ion beams of monosilane, argon, oxygen, and freon-14 is investigated. It was found that an increase in the partial pressure of freon-14 led to a significant decrease in the dielectric constant. An increase in the substrate temperature led to an increase in the dielectric constant, which may be due to the desorption of fluorine from the coating.