Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43509
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЮник, А. Д.-
dc.date.accessioned2021-05-06T11:37:10Z-
dc.date.available2021-05-06T11:37:10Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationЮник, А. Д. Формирование ALGaN/GaN гетероструктур для силовой и СВЧ электроники с помощью аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии = Formation of AlGaN/GaN heterostructures for power and microwave electronics using ammonia molecular-beam epitaxy / А. Д. Юник // Электронные системы и технологии : сборник материалов 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 19-23 апреля 2021 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2021. – С. 289–291.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43509-
dc.description.abstractВ докладе представлены результаты в создании гетероструктур AlGaN/GaN молекулярно-пучковой эпитаксией для транзисторов с высокой подвижностью электронов на подложках сапфира и карбида кремния. Подвижность электронного газа полученных гетероструктур составила ~ 2000 см2/В.с при концентрации ~1.2-1.3.1013 см-2, а слоевое сопротивление – 230-270 Ом/кв, что позволило изготовить на них основе транзисторы с максимальной плотностью тока стока более 1 А/мм, максимальной крутизной около 160 мСм/мм, частотами Ft ~ 8,4 ГГц и Fmax ~ 15,8 ГГц. The report presents the results in the creation of AlGaN/GaN heterostructures by molecular beam epitaxy for high electron mobility transistors on sapphire and silicon carbide substrates. Electron gas mobility of the obtained heterostructures was ~ 2000 сm2/V.s at density of ~ 1.2 - 1.3.1013 сm-2, and the layer resistance was 230-270 Ohm/ sq, which made possible to fabricate transistors with maximum drain current density more than 1 A/mm, maximum slope about 160 mS / mm, frequencies Ft ~ 8.4 GHz and Fmax ~ 15.8 GHz.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectгетероструктура AlGaN/GaNru_RU
dc.subjectмолекулярно-пучковая эпитаксияru_RU
dc.subjectAlGaN /GaN heterostructureru_RU
dc.subjectmolecular-beam epitaxyru_RU
dc.titleФормирование ALGaN/GaN гетероструктур для силовой и СВЧ электроники с помощью аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксииru_RU
dc.title.alternativeFormation of AlGaN/GaN heterostructures for power and microwave electronics using ammonia molecular-beam epitaxyru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 57-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2021)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Yunik_Formirovaniye.pdf273.31 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.