Способы получения объемных структур соединений группы (AⅠ In5S8)1-x – (In2S3)x

Abstract

Получения высококачественных полупроводников соединений группы (AIIn5S8)1-x - (In2S3)x пригодных для использования в опто- и наноэлектронике является актуальной научной задачей полупроводниковой техники. Процесс роста кристаллов данных соединений можно разделить на два этапа: на первом этапе проводится синтез поликристаллических слитков из элементарных компонентов; на втором этапе проводится выращивание монокристаллов из шихты полученных поликристаллических слитков. Как для первого, так и для второго этапа существуют различные способы их реализации, обладающие своими достоинствами и недостатки. В данной статье рассмотрены оптимальные методы синтеза и выращивания объемных и гомогенных монокристаллов соединений группы (AIIn5S8)1-x - (In2S3)x пригодных для использования в полупроводниковой технике. The production of high-quality semiconductors of the(AIIn5S8)1-x - (In2S3)x group compounds, suitable for use in opto- and nanoelectronics, is an urgent scientific task of semiconductor technology. The process of crystal growth of these compounds can be divided into two stages: at the first stage, polycrystalline ingots are synthesized from elementary components; at the second stage, single crystals are grown from the charge of the obtained polycrystalline ingots. Both for the first and for the second stage, there are various ways of their implementation, which have their own advantages and disadvantages. This article discusses the optimal methods for the synthesis and growth of bulk and homogeneous single crystals of compounds of the (AIIn5S8)1-x - (In2S3)x groups, suitable for use in semiconductor technology.