Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43729
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКазючиц, В. О.-
dc.contributor.authorШнейдеров, Е. Н.-
dc.date.accessioned2021-05-26T11:20:57Z-
dc.date.available2021-05-26T11:20:57Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationКазючиц, В. О. Корреляционный анализ в решении задачи поиска информативных параметров транзисторов большой мощности = Correlation analysis in the solution of the problem of search for informative parameters of high power transistors / В. О. Казючиц, Е. Н. Шнейдеров // Электронные системы и технологии : сборник материалов 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 19-23 апреля 2021 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2021. – С. 544–546.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43729-
dc.description.abstractДля индивидуального прогнозирования надёжности мощных полупроводниковых приборов необходимо знать информативные параметры, их поиск выполняют с помощью экспериментальных исследований. Выполненный корреляционный анализ параметров позволил сократить их число и тем самым упростить дальнейшие экспериментальные исследования транзисторов при проведении их ускоренных испытаний на надёжность, а также определить параметры, которые просты в измерении и заметно коррелированы с тепловым сопротивлением кристалл-корпус – параметром, являющимся информативным для полупроводниковых приборов большой мощности, но неудобным для измерения при проведении процедуры прогнозирования надёжности приборов. For individual prediction of the reliability of powerful semiconductor devices, it is necessary to know the informative parameters, their search is carried out using experimental research. The performed correlation analysis of the parameters made it possible to reduce their number and thereby simplify further experimental studies of transistors during their accelerated tests for reliability, to determine the parameters that are easy to measure and significantly correlated with the crystal-case thermal resistance. This parameter is informative for highpower semiconductor devices, but it is inconvenient to measure when performing the procedure for predicting the reliability of powerful semiconductor devices.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectтранзисторы большой мощностиru_RU
dc.subjectиндивидуальное прогнозированиеru_RU
dc.subjecthigh-power transistorsru_RU
dc.subjectindividual predictionru_RU
dc.titleКорреляционный анализ в решении задачи поиска информативных параметров транзисторов большой мощностиru_RU
dc.title.alternativeCorrelation analysis in the solution of the problem of search for informative parameters of high power transistorsru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 57-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2021)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kazyutchits_Korrelyatsionnyy.pdf249.84 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.