| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Бересневич, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-14T08:13:54Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-14T08:13:54Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Бересневич, А. И. Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов / А. И. Бересневич, С. М. Боровиков // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 83–84. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45273 | - |
| dc.description.abstract | Методом имитационных воздействий можно решать задачи индивидуального прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов. В качестве имитационного фактора обычно используют температуру. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | биполярные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | имитационные факторы | ru_RU |
| dc.title | Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №5
|
