Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45296
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГалузо, В. Е.-
dc.date.accessioned2021-09-15T06:28:40Z-
dc.date.available2021-09-15T06:28:40Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.citationГалузо, В. Е. Модель МДП-транзистора с субмикронными размерами / Галузо В. Е. // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 88.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45296-
dc.description.abstractПредлагается простая аналитическая квазидвумерная физикотопологическая модель передаточной и выходной вольт-амперных характеристик (ВАХ) в режиме сильной инверсии МДП-транзистора с субмикронными размерами длины канала, а точнее, с расстоянием между стоком и истоком меньше суммарной толщины обедненных областей их p-n переходов. В модели учитывается уменьшение подвижности и насыщение скорости носителей заряда в сильных продольных и поперечных электрических полях.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectвольт-амперные характеристикиru_RU
dc.subjectМДП-транзисторыru_RU
dc.subjectсхемотехникаru_RU
dc.titleМодель МДП-транзистора с субмикронными размерамиru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№5

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Galuzo_Model.pdf165.56 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.