| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Пискун, Г. А. | - |
| dc.contributor.author | Алексеев, В. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-10-12T06:14:51Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-12T06:14:51Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Пискун, Г. А. Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором / Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев // Современные средства связи : материалы XХV Международной научно-технической конференции, Минск, 22-23 октября 2020 г. / Белорусская государственная академия связи ; редкол.: А. О. Зеневич [и др.]. – Минск, 2020. – С. 149‒151. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45613 | - |
| dc.description.abstract | В ходе технологического процесса электронные компоненты испытывают контакт и разделение с разнородными материалами. В результате контактирования и разделения в электронных компонентах могут образовываться и накапливаться электростатические заряды. В работе рассматривается пример построения схемы модели воздействия CDM ЭСР на транзистор IRF730 и получения последующих осциллограмм в программной среде Qucs. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Белорусская государственная академия связи | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | схемотехнические модели | ru_RU |
| dc.subject | разряд статического электричества | ru_RU |
| dc.subject | моделирование импульсов | ru_RU |
| dc.subject | модели заряженного устройства | ru_RU |
| dc.subject | программная среда Qucs | ru_RU |
| dc.title | Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
