DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Богуш, В. А. | - |
dc.date.accessioned | 2021-10-13T06:17:44Z | - |
dc.date.available | 2021-10-13T06:17:44Z | - |
dc.date.issued | 2004 | - |
dc.identifier.citation | Богуш, В. А. Особенности микроструктуры и электрические характеристики тонких пленок серебра с вольфрамом, полученных химическим осаждением / Богуш В. А. // Новые технологии изготовления многокристальных модулей: материалы докладов Международной научно-технической конференции, 27 сентября – 1 октября 2004 г., Минск. – Минск, 2004. – С. 85–88. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45619 | - |
dc.description.abstract | Современный уровень развития электроники, компьютерной техники и, особенно, микроэлектроники характеризуется высоким уровнем технологии, расширением элементной базы и функциональности изделий, использованием большого числа различных материалов. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
dc.subject | микроэлектроника | ru_RU |
dc.subject | химическое осаждение | ru_RU |
dc.subject | пленки серебра | ru_RU |
dc.title | Особенности микроструктуры и электрические характеристики тонких пленок серебра с вольфрамом, полученных химическим осаждением | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|