| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Яцыно, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.contributor.author | Арситов, Я. С. | - |
| dc.contributor.author | Филонов, А. Б. | - |
| dc.contributor.author | Колосницын, Б. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-07-02T07:46:59Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:25:13Z | - |
| dc.date.available | 2015-07-02T07:46:59Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:25:13Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Влияние морфологии на электронные свойства <111>-ориентированных GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb наношнуров / Д. А. Яцыно [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 3 (89). - С. 77 - 82. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4570 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты расчетов методами из первых принципов <111>-ориентированных
GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs и InSb наношнуров со структурой цинковой обманки, которые
показывают, что морфология таких наношнуров кардинально влияет на их электронные
свойства. Установлено, что для наношнуров с {011} гранями на поверхности формирование
небольших по размеру {112} кромок между соседними {011} гранями приводит к более
стабильной структуре и удаляет поверхностные состояния в районе запрещенной зоны без
пассивации водородом. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | АIII-BV наношнуры | ru_RU |
| dc.subject | морфология и зонная структура наношнуров | ru_RU |
| dc.title | Влияние морфологии на электронные свойства <111>-ориентированных GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb наношнуров | ru_RU |
| dc.title.alternative | Effect of morphology on electronic properties of the <111> -oriented GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP and InSb nanowires | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №3 (89)
|
